可控硅整流模块作为电力电子系统的核心部件，其性能好坏直接影响设备运行稳定性。本文将详细介绍可控硅整流模块的实用检测技术，帮助工程师准确判断模块状态。

一、静态参数测试

使用万用表进行基础检测：

1、阳极-阴极电阻：正常值：正向几百Ω至几kΩ，反向∞；异常表现：双向导通（击穿）或双向不导通（开路）。

2、门极特性测试：触发电压（VGT）：1-3V（实测偏差＞20%即异常）；触发电流（IGT）：5-50mA（与型号相关）。

3、维持电流验证：通过可调电源测试，正常模块在电流＜IH（标称值）时自动关断。

二、动态特性检测

需要示波器等专业设备：

1、开通时间：

标准值：1-10μs（测试条件：di/dt=20A/μs）

老化模块通常延长30%以上

2、关断时间：

普通型号：50-200μs

快速型号：10-50μs（超出范围预示性能劣化）

由此可见，对于重要场所使用的可控硅整流模块，推荐每1年进行全面检测，确保其始终处于良好工作状态。